چاپ صفحه |  صفحه نخست سامانه |  نویسندگان |  اطلاعات تفضیلی |  دانلود مقاله | دانشگاه علوم پزشکی تبریز |
| نویسنده | نفر چندم مقاله |
|---|---|
| اکرم مهنا | اول |
| عنوان | متن |
|---|---|
| کلمات کلیدی | میدان مغناطیسی پالسی 217 هرتز، تلفن همراه، رگزایی، سلول اندوتلیال |
| خلاصه مقاله | طبق نتایج مطالعات انجام گرفته، میدان¬های الکترومغناطیسی تلفن همراه ( رادیویی و کم فرکانس) آثار بیولوژیکی متعددی از خود نشان داده اند. از طرفی، با توجه به اینکه مطالعه اثر عوامل فیزیکی مختلف بر انواع سرطان در روند درمان و پیشگیری نقش مهمی دارند و رگزایی یکی از عوامل موثر و مهم در تشکیل و پیشروی سرطان محسوب می شود، هدف این مطالعه بررسی اثر میدان¬های مغناطیسی کم فرکانس ناشی از تلفن همراه به عنوان یکی از میدان های محیطی، بر میزان رگزایی in vitro در نظر گرفته می¬شود. در این آزمایش اثر میدان مغناطیسی پالسی 217 هرتز با شدت¬های 5/0، 6، 22، 44، 65 و 159 میکروتسلا با 10، 20 و 30 دقیقه در روز برای تابش مزمن به مدت 5 روز متوالی و برای تابش حاد در روز پنجم آماده¬سازی سلول¬های اندوتلیال بندناف انسانی(HUVEC) in vitro بررسی شد. بقای HUVEC با روش MTT و میزان شاخه شدگی یا جوانه زدن سلول¬ها با روش میکروبید و ژل کلاژن بررسی شدند. طبق نتایج بدست آمده از این مطالعه، بقای HUVEC در گروه¬های تابشی با شدت¬های 6و 22 میکروتسلا برای گروه¬های تابشی مزمن و 44 میکروتسلا در هر دو حالت تابشی مزمن و حاد نسبت به گروه کنترل افزایش معنی¬داری داشته است. علاوه بر آن، میزان جوانه زدن برای تابش مزمن گروه¬های تابش¬دهی 22 و 44 میکروتسلا به طور معنی¬داری نسبت به گروه کنترل افزایش یافت. این نتایج نظریه ' پنجره بیولوژیکی' بویژه پنجره شدت میدان¬های مغناطیسی را تایید می¬کند. |
| نام فایل | تاریخ درج فایل | اندازه فایل | دانلود |
|---|---|---|---|
| Conference icbem2018.pptx | 1397/03/23 | 1202914 | دانلود |
| photo_2018-03-02_14-56-26.jpg | 1397/03/23 | 123541 | دانلود |
